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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD28P3LLH6AG
STD28P3LLH6AG Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STD28P3LLH6AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD28P3LLH6AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD28P3LLH6AG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD28P3LLH6AG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5070

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Spezifikation

STD28P3LLH6AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD28P3LLH6AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD28P3LLH6AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 33W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STD28  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD28P3LLH6AG.

Produkteigenschaften STD28P3LLH6AG STD2HNK60Z STD2LN60K3 STD27N3LH5
Artikelnummer STD28P3LLH6AG STD2HNK60Z STD2LN60K3 STD27N3LH5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V 4.8Ohm @ 1A, 10V 4.5Ohm @ 1A, 10V 19mOhm @ 13.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STD28 STD2HNK60 STD2LN60 STD27N
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 600 V 600 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 1V @ 250µA
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6 SuperMESH™ SuperMESH3™ STripFET™ V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V 280 pF @ 25 V 235 pF @ 50 V 475 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±18V ±30V ±30V ±22V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 2A (Tc) 2A (Tc) 27A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 33W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc)

STD28P3LLH6AG Datenblatt PDF

Laden Sie STD28P3LLH6AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD28P3LLH6AG - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
STD DPAK 21-Mar-2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD28P3LLH6AG

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