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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD2HNK60Z
STD2HNK60Z Image
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STD2HNK60Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD2HNK60Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD2HNK60Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STx2HNK60Z(x).pdf
RoHS Status
vorrätig: 54650

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Spezifikation

STD2HNK60Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD2HNK60Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD2HNK60Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc)  
Grundproduktnummer STD2HNK60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD2HNK60Z.

Produkteigenschaften STD2HNK60Z STD2N95K5 STD27N3LH5 STD2N62K3
Artikelnummer STD2HNK60Z STD2N95K5 STD27N3LH5 STD2N62K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 105 pF @ 100 V 475 pF @ 25 V 340 pF @ 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie SuperMESH™ SuperMESH5™ STripFET™ V SuperMESH3™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A (Tc) 2A (Tc) 27A (Tc) 2.2A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 1V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 950 V 30 V 620 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V 30V ±22V ±30V
Grundproduktnummer STD2HNK60 STD2N95 STD27N STD2N62
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc) 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V 5Ohm @ 1A, 10V 19mOhm @ 13.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 4.6 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V

STD2HNK60Z Datenblatt PDF

Laden Sie STD2HNK60Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD2HNK60Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STx2HNK60Z(x).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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