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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD35P6LLF6
STD35P6LLF6 Image
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STD35P6LLF6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD35P6LLF6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD35P6LLF6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD35P6LLF6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 41470

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Spezifikation

STD35P6LLF6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD35P6LLF6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD35P6LLF6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 17.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3780 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer STD35  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD35P6LLF6.

Produkteigenschaften STD35P6LLF6 STD35NF06LT4 STD38NH02L-1 STD35NF3LLT4
Artikelnummer STD35P6LLF6 STD35NF06LT4 STD38NH02L-1 STD35NF3LLT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 80W (Tc) 40W (Tc) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 17.5A, 10V 17mOhm @ 17.5A, 10V 13.5mOhm @ 19A, 10V 19.5mOhm @ 17.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Grundproduktnummer STD35 STD35 STD38 STD35
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3780 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 1070 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 24 V 30 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK I-PAK DPAK
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie STripFET™ F6 STripFET™ II STripFET™ III STripFET™ II
Betriebstemperatur 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 35A (Tc) 38A (Tc) 35A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 24 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±16V

STD35P6LLF6 Datenblatt PDF

Laden Sie STD35P6LLF6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD35P6LLF6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STD35P6LLF6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD35P6LLF6

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