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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD38NH02LT4
STD38NH02LT4 Image
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STD38NH02LT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD38NH02LT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD38NH02LT4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD38NH02L(-1).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3880

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Spezifikation

STD38NH02LT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD38NH02LT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD38NH02LT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie STripFET™ III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer STD38  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD38NH02LT4.

Produkteigenschaften STD38NH02LT4 STD3N40K3 STD38NH02L-1 STD36NH02L
Artikelnummer STD38NH02LT4 STD3N40K3 STD38NH02L-1 STD36NH02L
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 25 V 165 pF @ 50 V 1070 pF @ 25 V 860 pF @ 15 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Serie STripFET™ III SuperMESH3™ STripFET™ III STripFET™ III
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc) 45W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK I-PAK DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 2A (Tc) 38A (Tc) 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 19A, 10V 3.4Ohm @ 900mA, 10V 13.5mOhm @ 19A, 10V 14.5mOhm @ 15A, 10V
Grundproduktnummer STD38 STD3 STD38 STD36
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 24 V 400 V 24 V 24 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA

STD38NH02LT4 Datenblatt PDF

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Datenblätter
STD38NH02L(-1).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD38NH02LT4

STMicroelectronics
32D-STD38NH02LT4

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