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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD3NK60ZT4
STD3NK60ZT4 Image
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STD3NK60ZT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD3NK60ZT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD3NK60ZT4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STx3NK60Z(-1,FP).pdf
RoHS Status
vorrätig: 47130

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Anzahl

Spezifikation

STD3NK60ZT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD3NK60ZT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD3NK60ZT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 45W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 311 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc)  
Grundproduktnummer STD3NK60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD3NK60ZT4.

Produkteigenschaften STD3NK60ZT4 STD3NK80ZT4 STD3NM50T4 STD3NK60ZD
Artikelnummer STD3NK60ZT4 STD3NK80ZT4 STD3NM50T4 STD3NK60ZD
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 800 V 550 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 4.5Ohm @ 1.25A, 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer STD3NK60 STD3NK80 STD3N STD3N
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 311 pF @ 25 V 485 pF @ 25 V 140 pF @ 25 V 311 pF @ 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.8 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 5.5 nC @ 10 V 11.8 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 45W (Tc) 70W (Tc) 46W (Tc) 45W (Tc)
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™ SuperFREDmesh™
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.4A (Tc) 2.5A (Tc) 3A (Tc) 2.4A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

STD3NK60ZT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STD3NK60ZT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD3NK60ZT4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf
Datenblätter
STx3NK60Z(-1,FP).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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