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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD3NM50T4
STD3NM50T4 Image
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STD3NM50T4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD3NM50T4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD3NM50T4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 3A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD3NM50(-1).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3800

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Anzahl

Spezifikation

STD3NM50T4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD3NM50T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD3NM50T4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer STD3N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD3NM50T4.

Produkteigenschaften STD3NM50T4 STD3NK60ZT4 STD3NM60N STD3PK50Z
Artikelnummer STD3NM50T4 STD3NK60ZT4 STD3NM60N STD3PK50Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Verlustleistung (max) 46W (Tc) 45W (Tc) 50W (Tc) 70W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 2.4A (Tc) 3.3A (Tc) 2.8A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.5A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V 1.8Ohm @ 1.65A, 10V 4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Grundproduktnummer STD3N STD3NK60 STD3 STD3PK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V 600 V 600 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V 11.8 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ SuperMESH™ MDmesh™ II SuperMESH™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V 311 pF @ 25 V 188 pF @ 50 V 620 pF @ 25 V

STD3NM50T4 Datenblatt PDF

Laden Sie STD3NM50T4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD3NM50T4 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STD3NM50(-1).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD3NM50T4

STMicroelectronics
32D-STD3NM50T4

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