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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD40P3LLH6
STD40P3LLH6 Image
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STD40P3LLH6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD40P3LLH6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD40P3LLH6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD40P3LLH6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

STD40P3LLH6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD40P3LLH6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD40P3LLH6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie STripFET™ H6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2615 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer STD40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD40P3LLH6.

Produkteigenschaften STD40P3LLH6 STD40P8F6AG STD45N10F7 STD44N4LF6
Artikelnummer STD40P3LLH6 STD40P8F6AG STD45N10F7 STD44N4LF6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie STripFET™ H6 Automotive, AEC-Q101 DeepGATE™, STripFET™ VII DeepGATE™, STripFET™ VI
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 80 V 100 V 40 V
Grundproduktnummer STD40 STD40 STD45 STD44
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 100W (Tc) 60W (Tc) 50W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse DPAK D-PAK (TO-252) DPAK DPAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 18mOhm @ 22.5A, 10V 12.5mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V 73 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2615 pF @ 25 V 4112 pF @ 25 V 1640 pF @ 50 V 1190 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 45A (Tc) 44A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA

STD40P3LLH6 Datenblatt PDF

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Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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