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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD44N4LF6
STD44N4LF6 Image
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STD44N4LF6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD44N4LF6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD44N4LF6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD44N4LF6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 48280

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Anzahl

Spezifikation

STD44N4LF6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD44N4LF6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD44N4LF6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)  
Grundproduktnummer STD44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD44N4LF6.

Produkteigenschaften STD44N4LF6 STD45NF75T4 STD40P8F6AG STD40NF3LLT4
Artikelnummer STD44N4LF6 STD45NF75T4 STD40P8F6AG STD40NF3LLT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 125W (Tc) 100W (Tc) 80W (Tc)
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ II Automotive, AEC-Q101 STripFET™ II
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 75 V 80 V 30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc) 40A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK D-PAK (TO-252) DPAK
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 25 V 1760 pF @ 25 V 4112 pF @ 25 V 1650 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 20A, 10V 24mOhm @ 20A, 10V 28mOhm @ 20A, 10V 11mOhm @ 20A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer STD44 STD45 STD40 STD40
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 33 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±16V

STD44N4LF6 Datenblatt PDF

Laden Sie STD44N4LF6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD44N4LF6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Datenblätter
STD44N4LF6.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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