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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD46N6F7
STD46N6F7 Image
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STD46N6F7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD46N6F7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD46N6F7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4120

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Anzahl

Spezifikation

STD46N6F7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD46N6F7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD46N6F7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 60W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1065 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer STD46  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD46N6F7.

Produkteigenschaften STD46N6F7 STD45N10F7 STD46P4LLF6 STD45NF75T4
Artikelnummer STD46N6F7 STD45N10F7 STD46P4LLF6 STD45NF75T4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie STripFET™ DeepGATE™, STripFET™ VII STripFET™ F6 STripFET™ II
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 34 nC @ 4.5 V 80 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 7.5A, 10V 18mOhm @ 22.5A, 10V 15mOhm @ 23A, 10V 24mOhm @ 20A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1065 pF @ 30 V 1640 pF @ 50 V 3525 pF @ 25 V 1760 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 60W (Tc) 60W (Tc) 70W (Tc) 125W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STD46 STD45 STD46 STD45
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 45A (Tc) 46A (Tc) 40A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 40 V 75 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STD46N6F7 Datenblatt PDF

Laden Sie STD46N6F7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD46N6F7 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 2/Apr/2020.pdf
Datenblätter
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD46N6F7

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