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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD45P4LLF6AG
STD45P4LLF6AG Image
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STD45P4LLF6AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD45P4LLF6AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD45P4LLF6AG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STD45P4LLF6AG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 49320

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Spezifikation

STD45P4LLF6AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD45P4LLF6AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD45P4LLF6AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±18V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 58W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3525 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65.5 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc)  
Grundproduktnummer STD45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD45P4LLF6AG.

Produkteigenschaften STD45P4LLF6AG STD45NF75T4 STD46N6F7 STD46P4LLF6
Artikelnummer STD45P4LLF6AG STD45NF75T4 STD46N6F7 STD46P4LLF6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ II STripFET™ STripFET™ F6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) 40A (Tc) 15A (Tc) 46A (Tc)
Vgs (Max) ±18V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3525 pF @ 25 V 1760 pF @ 25 V 1065 pF @ 30 V 3525 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 25A, 10V 24mOhm @ 20A, 10V 14mOhm @ 7.5A, 10V 15mOhm @ 23A, 10V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Grundproduktnummer STD45 STD45 STD46 STD46
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 75 V 60 V 40 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65.5 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 34 nC @ 4.5 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 58W (Tc) 125W (Tc) 60W (Tc) 70W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK DPAK

STD45P4LLF6AG Datenblatt PDF

Laden Sie STD45P4LLF6AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD45P4LLF6AG - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Datenblätter
STD45P4LLF6AG.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD45P4LLF6AG

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