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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD6N62K3
STD6N62K3 Image
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STD6N62K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD6N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD6N62K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
ST(B,D)6N62K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39390

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Anzahl

Spezifikation

STD6N62K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD6N62K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD6N62K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 706 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STD6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD6N62K3.

Produkteigenschaften STD6N62K3 STD6N60DM2 STD6N90K5 STD6N95K5
Artikelnummer STD6N62K3 STD6N60DM2 STD6N90K5 STD6N95K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.7 nC @ 10 V 6.2 nC @ 10 V - 13 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie SuperMESH3™ MDmesh™ DM2 MDmesh™ K5 SuperMESH5™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 706 pF @ 50 V 274 pF @ 100 V - 450 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.75V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.28Ohm @ 2.8A, 10V 1.1Ohm @ 2.5A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V
Supplier Device-Gehäuse DPAK D-PAK (TO-252) DPAK DPAK
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V 600 V 900 V 950 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STD6 STD6N60 STD6N90 STD6N95
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 5A (Tc) 6A (Tc) 9A (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -

STD6N62K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STD6N62K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD6N62K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
Datenblätter
ST(B,D)6N62K3.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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