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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD6N95K5
STD6N95K5 Image
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STD6N95K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD6N95K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD6N95K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STx6N95K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21836

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Spezifikation

STD6N95K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD6N95K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD6N95K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer STD6N95  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD6N95K5.

Produkteigenschaften STD6N95K5 STD6NM60N-1 STD6N65M2 STD6N90K5
Artikelnummer STD6N95K5 STD6NM60N-1 STD6N65M2 STD6N90K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 3A, 10V 920mOhm @ 2.3A, 10V 1.35Ohm @ 2A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 100 V 420 pF @ 50 V 226 pF @ 100 V -
Supplier Device-Gehäuse DPAK TO-251 (IPAK) DPAK DPAK
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ II MDmesh™ MDmesh™ K5
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 4.6A (Tc) 4A (Tc) 6A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 9.8 nC @ 10 V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V 600 V 650 V 900 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 90W (Tc) 45W (Tc) 60W (Tc) 110W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Grundproduktnummer STD6N95 STD6N STD6N65 STD6N90

STD6N95K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STD6N95K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD6N95K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
Datenblätter
STx6N95K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD6N95K5

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32D-STD6N95K5

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