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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD6NF10T4
STD6NF10T4 Image
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STD6NF10T4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD6NF10T4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD6NF10T4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
ST(D,U)6NF10.pdf
RoHS Status
vorrätig: 71320

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Spezifikation

STD6NF10T4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD6NF10T4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD6NF10T4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer STD6NF10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD6NF10T4.

Produkteigenschaften STD6NF10T4 STD6N80K5 STD6NM60N STD6NM60N-1
Artikelnummer STD6NF10T4 STD6N80K5 STD6NM60N STD6NM60N-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie STripFET™ SuperMESH5™ MDmesh™ II MDmesh™ II
Grundproduktnummer STD6NF10 STD6N80 STD6N STD6N
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V 30V ±25V ±25V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 4.5A (Tc) 4.6A (Tc) 4.6A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK TO-251 (IPAK)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 3A, 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V 920mOhm @ 2.3A, 10V 920mOhm @ 2.3A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 255 pF @ 100 V 420 pF @ 50 V 420 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 85W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 800 V 600 V 600 V

STD6NF10T4 Datenblatt PDF

Laden Sie STD6NF10T4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD6NF10T4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
Datenblätter
ST(D,U)6NF10.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STD6NF10T4

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