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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD7NK30Z
STD7NK30Z Image
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STD7NK30Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD7NK30Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD7NK30Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STx7NK30Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4560

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Anzahl

Spezifikation

STD7NK30Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD7NK30Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD7NK30Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc)  
Grundproduktnummer STD7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD7NK30Z.

Produkteigenschaften STD7NK30Z STD7NK40ZT4 STD7N65M6 STD7NM60N
Artikelnummer STD7NK30Z STD7NK40ZT4 STD7N65M6 STD7NM60N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™ M6 MDmesh™ II
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5A (Tc) 5.4A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V 220 pF @ 100 V 363 pF @ 50 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 6.9 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 400 V 650 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 3.75V @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 70W (Tc) 60W (Tc) 45W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK D-PAK (TO-252) DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2.5A, 10V 1Ohm @ 2.7A, 10V 990mOhm @ 2.5A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V
Grundproduktnummer STD7 STD7NK40 STD7N65 STD7NM60
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±25V

STD7NK30Z Datenblatt PDF

Laden Sie STD7NK30Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD7NK30Z - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx7NK30Z.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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