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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD7N80K5
STD7N80K5 Image
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STD7N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD7N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD7N80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STx7N80K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40011

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Anzahl

Spezifikation

STD7N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD7N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD7N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)  
Grundproduktnummer STD7N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD7N80K5.

Produkteigenschaften STD7N80K5 STD7N60M2 STD7N65M6 STD7NK30Z
Artikelnummer STD7N80K5 STD7N60M2 STD7N65M6 STD7NK30Z
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 3.75V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STD7N80 STD7N60 STD7N65 STD7
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.4 nC @ 10 V 8.8 nC @ 10 V 6.9 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 100 V 271 pF @ 100 V 220 pF @ 100 V 380 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc) 5A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ II Plus MDmesh™ M6 SuperMESH™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 60W (Tc) 60W (Tc) 50W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK D-PAK (TO-252) DPAK
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600 V 650 V 300 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V 950mOhm @ 2.5A, 10V 990mOhm @ 2.5A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V

STD7N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STD7N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD7N80K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Reel Design Change 22/Aug/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
PCN -Design/Spezifikation
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf
Datenblätter
STx7N80K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD7N80K5

STMicroelectronics
32D-STD7N80K5

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