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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTE48NM60
STE48NM60 Image
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STE48NM60 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STE48NM60
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STE48NM60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOTOP
Datenblatt
STE48NM60.pdf
vorrätig: 3880

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Spezifikation

STE48NM60 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STE48NM60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STE48NM60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 22.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOTOP  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer STE48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STE48NM60.

Produkteigenschaften STE48NM60 STE45NK80ZD STE70NM50 STE70NM60
Artikelnummer STE48NM60 STE45NK80ZD STE70NM50 STE70NM60
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 45A (Tc) 70A (Tc) 70A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 800 V 500 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP® ISOTOP®
Serie MDmesh™ SuperFREDmesh™ MDmesh™ MDmesh™
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3800 pF @ 25 V 26000 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 150µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 134 nC @ 10 V 781 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STE48 STE45 STE70 STE70
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 22.5A, 10V 130mOhm @ 22.5A, 10V 50mOhm @ 30A, 10V 55mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

STE48NM60 Datenblatt PDF

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Datenblätter
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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