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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTE70NM50
STMicroelectronics
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STE70NM50 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STE70NM50
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STE70NM50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOTOP
Datenblatt
STE70NM50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3650

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Anzahl

Spezifikation

STE70NM50 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STE70NM50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STE70NM50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOTOP  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 266 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)  
Grundproduktnummer STE70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STE70NM50.

Produkteigenschaften STE70NM50 STE88N65M5 STE48NM60 STE70NM60
Artikelnummer STE70NM50 STE88N65M5 STE48NM60 STE70NM60
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse ISOTOP ISOTOP ISOTOP ISOTOP
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 494W (Tc) 450W (Tc) 600W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Serie MDmesh™ MDmesh™ V MDmesh™ MDmesh™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) 88A (Tc) 48A (Tc) 70A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® ISOTOP ISOTOP® ISOTOP®
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 266 nC @ 10 V 204 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 8825 pF @ 100 V 3800 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 650 V 650 V 600 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STE70 STE88 STE48 STE70
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 30A, 10V 29mOhm @ 42A, 10V 110mOhm @ 22.5A, 10V 55mOhm @ 30A, 10V

STE70NM50 Datenblatt PDF

Laden Sie STE70NM50 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STE70NM50 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IPD/15/9345 04/Aug/2015.pdf
Datenblätter
STE70NM50.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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