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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF12N120K5
STF12N120K5 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STF12N120K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF12N120K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF12N120K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STF(W)12N120K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4612

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Spezifikation

STF12N120K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF12N120K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF12N120K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STF12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF12N120K5.

Produkteigenschaften STF12N120K5 STF11NM65N STF12N65M2 STF11NM60N
Artikelnummer STF12N120K5 STF11NM65N STF12N65M2 STF11NM60N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ K5 MDmesh™ II MDmesh™ M2 MDmesh™ II
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 100 V 800 pF @ 50 V 535 pF @ 100 V 850 pF @ 50 V
Grundproduktnummer STF12 STF11 STF12 STF11
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 11A (Tc) 8A (Tc) 10A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 16.5 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V 455mOhm @ 5.5A, 10V 500mOhm @ 4A, 10V 450mOhm @ 5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 650 V 650 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP

STF12N120K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STF12N120K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF12N120K5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STF(W)12N120K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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