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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF12N65M5
STF12N65M5 Image
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STF12N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF12N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF12N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-5 Full Pack
Datenblatt
STx12N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 35219

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Anzahl

Spezifikation

STF12N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF12N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF12N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STF12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF12N65M5.

Produkteigenschaften STF12N65M5 STF12NK80Z STF12N50DM2 STF12NM50ND
Artikelnummer STF12N65M5 STF12NK80Z STF12N50DM2 STF12NM50ND
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STF12 STF12 STF12 STF12
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie MDmesh™ V SuperMESH™ MDmesh™ DM2 FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430mOhm @ 4.3A, 10V 750mOhm @ 5.25A, 10V 350mOhm @ 5.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.5A (Tc) 10.5A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 100µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900 pF @ 100 V 2620 pF @ 25 V 628 pF @ 100 V 850 pF @ 50 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 800 V 500 V 500 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-5 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

STF12N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STF12N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF12N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Datasheet Rev 09/Feb/2022.pdf
Datenblätter
STx12N65M5.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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