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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF140N8F7
STF140N8F7 Image
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STF140N8F7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF140N8F7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF140N8F7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STF140N8F7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3630

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Anzahl

Spezifikation

STF140N8F7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF140N8F7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF140N8F7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 32A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc)  
Grundproduktnummer STF14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF140N8F7.

Produkteigenschaften STF140N8F7 STF13NM50N STF14N80K5 STF140N6F7
Artikelnummer STF140N8F7 STF13NM50N STF14N80K5 STF140N6F7
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 500 V 800 V 60 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STF14 STF13 STF14 STF140
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 64A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 70A (Tc)
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc) 33W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6340 pF @ 40 V 960 pF @ 50 V 620 pF @ 100 V 3100 pF @ 25 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ II MDmesh™ K5 STripFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±30V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 32A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 445mOhm @ 6A, 10V 3.5mOhm @ 35A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube

STF140N8F7 Datenblatt PDF

Laden Sie STF140N8F7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF140N8F7 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 29/Mar/2019.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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