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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF14N80K5
STF14N80K5 Image
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STF14N80K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF14N80K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF14N80K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
ST-MOSFET-Finder Brief.pdf
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf
STF(I)14N80K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28247

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Spezifikation

STF14N80K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF14N80K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF14N80K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ K5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 445mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STF14  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF14N80K5.

Produkteigenschaften STF14N80K5 STF140N6F7 STF13NM50N STF15N80K5
Artikelnummer STF14N80K5 STF140N6F7 STF13NM50N STF15N80K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 100 V 3100 pF @ 25 V 960 pF @ 50 V 1100 pF @ 100 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 445mOhm @ 6A, 10V 3.5mOhm @ 35A, 10V 320mOhm @ 6A, 10V 375mOhm @ 7A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 60 V 500 V 800 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 70A (Tc) 12A (Tc) 14A (Tc)
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 33W (Tc) 25W (Tc) 35W (Tc)
Grundproduktnummer STF14 STF140 STF13 STF15
Serie MDmesh™ K5 STripFET™ MDmesh™ II SuperMESH5™
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V

STF14N80K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STF14N80K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF14N80K5 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
ST-MOSFET-Finder Brief.pdf Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf STF(I)14N80K5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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