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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF23NM60ND
STF23NM60ND Image
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STF23NM60ND - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF23NM60ND
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF23NM60ND
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx23NM60ND.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8376

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Anzahl

Spezifikation

STF23NM60ND Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF23NM60ND Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF23NM60ND

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie FDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STF23  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF23NM60ND.

Produkteigenschaften STF23NM60ND STF22N60DM6 STF22NM60N STF24N60M2
Artikelnummer STF23NM60ND STF22N60DM6 STF22NM60N STF24N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V 230mOhm @ 7.5A, 10V 220mOhm @ 8A, 10V 190mOhm @ 9A, 10V
Serie FDmesh™ II MDmesh™ M6 MDmesh™ II MDmesh™ II Plus
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer STF23 STF22 STF22 STF24
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 19.5A (Tc) 15A (Tc) 16A (Tc) 18A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050 pF @ 50 V 800 pF @ 100 V 1300 pF @ 50 V 1060 pF @ 100 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.75V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc)

STF23NM60ND Datenblatt PDF

Laden Sie STF23NM60ND PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF23NM60ND - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Datenblätter
STx23NM60ND.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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