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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF26N60M2
STF26N60M2 Image
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STF26N60M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF26N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF26N60M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf
STF(I)26N60M2 Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21415

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Spezifikation

STF26N60M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF26N60M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF26N60M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer STF26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF26N60M2.

Produkteigenschaften STF26N60M2 STF24NM65N STF25NM50N STF26NM60N-H
Artikelnummer STF26N60M2 STF24NM65N STF25NM50N STF26NM60N-H
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc) 30W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STF26 STF24 STF25 STF26
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Serie MDmesh™ MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ II
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 500 V 600 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11A, 10V 190mOhm @ 9.5A, 10V 140mOhm @ 11A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 19A (Tc) 22A (Tc) 20A (Tc)

STF26N60M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STF26N60M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF26N60M2 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf STF(I)26N60M2 Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STF26N60M2

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32D-STF26N60M2

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