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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF3NK100Z
STF3NK100Z Image
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STF3NK100Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF3NK100Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF3NK100Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx3NK100Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 21531

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Anzahl

Spezifikation

STF3NK100Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF3NK100Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF3NK100Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 601 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STF3NK100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF3NK100Z.

Produkteigenschaften STF3NK100Z STF42N65M5 STF3NK80Z STF36N60M6
Artikelnummer STF3NK100Z STF42N65M5 STF3NK80Z STF36N60M6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie SuperMESH™ MDmesh™ V SuperMESH™ MDmesh™ M6
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 601 pF @ 25 V 4650 pF @ 100 V 485 pF @ 25 V 1960 pF @ 100 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4.75V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc) 33A (Tc) 2.5A (Tc) 30A (Tc)
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 40W (Tc) 25W (Tc) 40W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STF3NK100 STF42 STF3NK80 STF36
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 650 V 800 V 600 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 44.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1.25A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 4.5Ohm @ 1.25A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STF3NK100Z Datenblatt PDF

Laden Sie STF3NK100Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF3NK100Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Datenblätter
STx3NK100Z.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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