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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF42N65M5
STF42N65M5 Image
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STF42N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF42N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF42N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 33A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx42N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8071

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Anzahl

Spezifikation

STF42N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF42N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF42N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 16.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4650 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc)  
Grundproduktnummer STF42  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF42N65M5.

Produkteigenschaften STF42N65M5 STF3NK80Z STF40NF06 STF40N60M2
Artikelnummer STF42N65M5 STF3NK80Z STF40NF06 STF40N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Serie MDmesh™ V SuperMESH™ STripFET™ II MDmesh™ II Plus
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4650 pF @ 100 V 485 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V 2500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Grundproduktnummer STF42 STF3NK80 STF40 STF40
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±30V ±20V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 16.5A, 10V 4.5Ohm @ 1.25A, 10V 28mOhm @ 11.5A, 10V 88mOhm @ 17A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 800 V 60 V 600 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 33A (Tc) 2.5A (Tc) 23A (Tc) 34A (Tc)

STF42N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STF42N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF42N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Datenblätter
STx42N65M5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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