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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF45N65M5
STF45N65M5 Image
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STF45N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF45N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF45N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STB,F,P45N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6895

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Spezifikation

STF45N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF45N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF45N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 19.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3375 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  
Grundproduktnummer STF45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF45N65M5.

Produkteigenschaften STF45N65M5 STF4N80K5 STF42N65M5 STF4N62K3
Artikelnummer STF45N65M5 STF4N80K5 STF42N65M5 STF4N62K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 19.5A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 79mOhm @ 16.5A, 10V 2Ohm @ 1.9A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3375 pF @ 100 V 175 pF @ 100 V 4650 pF @ 100 V 550 pF @ 50 V
Grundproduktnummer STF45 STF4N80 STF42 STF4N62
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 800 V 650 V 620 V
Serie MDmesh™ V SuperMESH5™ MDmesh™ V SuperMESH3™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 20W (Tc) 40W (Tc) 25W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 3A (Tc) 33A (Tc) 3.8A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -

STF45N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STF45N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF45N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG/14/8597 17/Jul/2014.pdf
Datenblätter
STB,F,P45N65M5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STF45N65M5

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