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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF4NK50ZD
STF4NK50ZD Image
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STF4NK50ZD - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF4NK50ZD
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF4NK50ZD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx4NK50ZD(-1).pdf
RoHS Status
vorrätig: 5280

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Spezifikation

STF4NK50ZD Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF4NK50ZD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF4NK50ZD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 20W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer STF4N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF4NK50ZD.

Produkteigenschaften STF4NK50ZD STF4N80K5 STF57N65M5 STF5N52K3
Artikelnummer STF4NK50ZD STF4N80K5 STF57N65M5 STF5N52K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 10.5 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie SuperMESH™ SuperMESH5™ MDmesh™ V SuperMESH3™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7Ohm @ 1.5A, 10V 2.5Ohm @ 1.5A, 10V 63mOhm @ 21A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Verlustleistung (max) 20W (Tc) 20W (Tc) 40W (Tc) 25W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 3A (Tc) 42A (Tc) 4.4A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 800 V 650 V 525 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V 175 pF @ 100 V 4200 pF @ 100 V 545 pF @ 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STF4N STF4N80 STF57 STF5N

STF4NK50ZD Datenblatt PDF

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Datenblätter
STx4NK50ZD(-1).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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