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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF57N65M5
STF57N65M5 Image
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STF57N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF57N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF57N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 42A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx57N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5950

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Anzahl

Spezifikation

STF57N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF57N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF57N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 40W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  
Grundproduktnummer STF57  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF57N65M5.

Produkteigenschaften STF57N65M5 STF5N105K5 STF5N95K3 STF5N52K3
Artikelnummer STF57N65M5 STF5N105K5 STF5N95K3 STF5N52K3
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 40W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V 3.5Ohm @ 1.5A, 10V 3.5Ohm @ 2A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 1050 V 950 V 525 V
Grundproduktnummer STF57 STF5N105 STF5N95 STF5N
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 3A (Tc) 4A (Tc) 4.4A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie MDmesh™ V MDmesh™ SuperMESH3™ SuperMESH3™
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220 Full Pack TO-220FP TO-220FP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V 210 pF @ 100 V 460 pF @ 25 V 545 pF @ 100 V
Paket Tube Tube Tube Tube

STF57N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STF57N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF57N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Assembly Location Expansion 05/Mar/2014.pdf
Datenblätter
STx57N65M5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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