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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTF9NK60ZD
STF9NK60ZD Image
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STF9NK60ZD - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STF9NK60ZD
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STF9NK60ZD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
STx9NK60ZD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5130

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Spezifikation

STF9NK60ZD Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STF9NK60ZD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STF9NK60ZD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie SuperFREDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc)  
Grundproduktnummer STF9  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STF9NK60ZD.

Produkteigenschaften STF9NK60ZD STF9N60M2 STF9N65M2 STFI11N65M2
Artikelnummer STF9NK60ZD STF9N60M2 STF9N65M2 STFI11N65M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±25V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1110 pF @ 25 V 320 pF @ 100 V 315 pF @ 100 V 410 pF @ 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) 5.5A (Tc) 5A (Tc) 7A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 3.5A, 10V 780mOhm @ 3A, 10V 900mOhm @ 2.5A, 10V 670mOhm @ 3.5A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperFREDmesh™ MDmesh™ II Plus MDmesh™ MDmesh™ II Plus
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 20W (Tc) 20W (Tc) 25W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 12.5 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 650 V 650 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220FP TO-220FP I2PAKFP (TO-281)
Grundproduktnummer STF9 STF9N60 STF9 STFI11N
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

STF9NK60ZD Datenblatt PDF

Laden Sie STF9NK60ZD PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STF9NK60ZD - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx9NK60ZD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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