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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTFI10N65K3
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STFI10N65K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STFI10N65K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STFI10N65K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Datenblatt
STx(x)10N65K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 26634

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Anzahl

Spezifikation

STFI10N65K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STFI10N65K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STFI10N65K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAKFP (TO-281)  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 35W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I²Pak  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer STFI10N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STFI10N65K3.

Produkteigenschaften STFI10N65K3 STF9NM60N STF9N80K5 STFH13N60M2
Artikelnummer STFI10N65K3 STF9NM60N STF9N80K5 STFH13N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 800 V 600 V
Grundproduktnummer STFI10N STF9NM60 STF9N80 STFH13
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 35W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc) 25W (Tc)
Serie SuperMESH3™ MDmesh™ II MDmesh™ MDmesh™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 25 V 452 pF @ 50 V 340 pF @ 100 V 580 pF @ 100 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse I2PAKFP (TO-281) TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Full Pack, I²Pak TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Ohm @ 3.6A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 900mOhm @ 3.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 6.5A (Tc) 7A (Tc) 11A (Tc)

STFI10N65K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STFI10N65K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STFI10N65K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
STx(x)10N65K3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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