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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelSTGB10NB40LZT4
STGB10NB40LZT4 Image
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STGB10NB40LZT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STGB10NB40LZT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STGB10NB40LZT4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 440V 20A 150W D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STGB10NB40LZT4.pdf
RoHS Status
vorrätig: 23633

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Spezifikation

STGB10NB40LZT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGB10NB40LZT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGB10NB40LZT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 440 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 4.5V, 10A  
Testbedingung 328V, 10A, 1kOhm, 5V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 1.3µs/8µs  
Schaltenergie 2.4mJ (on), 5mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™  
Leistung - max 150 W  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 28 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 40 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 A  
Grundproduktnummer STGB10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STGB10NB40LZT4.

Produkteigenschaften STGB10NB40LZT4 STGB10H60DF STGB10M65DF2 STGB10NB37LZ
Artikelnummer STGB10NB40LZT4 STGB10H60DF STGB10M65DF2 STGB10NB37LZ
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 4.5V, 10A 1.95V @ 15V, 10A 2V @ 15V, 10A 1.8V @ 4.5V, 10A
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
IGBT-Typ - Trench Field Stop Trench Field Stop -
Strom - Collector Pulsed (Icm) 40 A 40 A 40 A 40 A
Schaltenergie 2.4mJ (on), 5mJ (off) 83µJ (on), 140µJ (off) 120µJ (on), 270µJ (off) 2.4mJ (on), 5mJ (off)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 440 V 600 V 650 V 440 V
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™ - - PowerMESH™
Gate-Ladung 28 nC 57 nC 28 nC 28 nC
Strom - Kollektor (Ic) (max) 20 A 20 A 20 A 20 A
Leistung - max 150 W 115 W 115 W 125 W
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Testbedingung 328V, 10A, 1kOhm, 5V 400V, 10A, 10Ohm, 15V 400V, 10A, 22Ohm, 15V 328V, 10A, 1kOhm, 5V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 1.3µs/8µs 19.5ns/103ns 19ns/91ns 1.3µs/8µs
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Grundproduktnummer STGB10 STGB10 STGB10 STGB10

STGB10NB40LZT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STGB10NB40LZT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STGB10NB40LZT4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf
Datenblätter
STGB10NB40LZT4.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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