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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelSTGB10NB60ST4
STGB10NB60ST4 Image
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STGB10NB60ST4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STGB10NB60ST4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STGB10NB60ST4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 600V 29A 80W D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STG(B,P)10NB60S.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5360

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Spezifikation

STGB10NB60ST4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STGB10NB60ST4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STGB10NB60ST4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A  
Testbedingung 480V, 10A, 1kOhm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 700ns/1.2µs  
Schaltenergie 600µJ (on), 5mJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie PowerMESH™  
Leistung - max 80 W  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ -  
Gate-Ladung 33 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 29 A  
Grundproduktnummer STGB10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STGB10NB60ST4.

Produkteigenschaften STGB10NB60ST4 STGB10H60DF STGB10M65DF2 STGB10NC60HDT4
Artikelnummer STGB10NB60ST4 STGB10H60DF STGB10M65DF2 STGB10NC60HDT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK
Strom - Kollektor (Ic) (max) 29 A 20 A 20 A 20 A
Leistung - max 80 W 115 W 115 W 65 W
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Strom - Collector Pulsed (Icm) 80 A 40 A 40 A 30 A
Schaltenergie 600µJ (on), 5mJ (off) 83µJ (on), 140µJ (off) 120µJ (on), 270µJ (off) 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Testbedingung 480V, 10A, 1kOhm, 15V 400V, 10A, 10Ohm, 15V 400V, 10A, 22Ohm, 15V 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600 V 600 V 650 V 600 V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 700ns/1.2µs 19.5ns/103ns 19ns/91ns 14.2ns/72ns
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A 1.95V @ 15V, 10A 2V @ 15V, 10A 2.5V @ 15V, 5A
IGBT-Typ - Trench Field Stop Trench Field Stop -
Grundproduktnummer STGB10 STGB10 STGB10 STGB10
Gate-Ladung 33 nC 57 nC 28 nC 19.2 nC
Serie PowerMESH™ - - PowerMESH™

STGB10NB60ST4 Datenblatt PDF

Laden Sie STGB10NB60ST4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STGB10NB60ST4 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STG(B,P)10NB60S.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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