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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTI15NM60N
STI15NM60N Image
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STI15NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STI15NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STI15NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
STx15NM60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5380

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Spezifikation

STI15NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STI15NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STI15NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer STI15N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STI15NM60N.

Produkteigenschaften STI15NM60N STI14NM65N STI18N65M2 STI18N60M2
Artikelnummer STI15NM60N STI14NM65N STI18N65M2 STI18N60M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Serie MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ M2 *
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Supplier Device-Gehäuse I2PAK I2PAK I2PAK -
Grundproduktnummer STI15N STI14N STI18 STI18N
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 7A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 330mOhm @ 6A, 10V -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 50 V 1300 pF @ 50 V 770 pF @ 100 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 125W (Tc) 110W (Tc) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 650 V 650 V -

STI15NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STI15NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STI15NM60N - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx15NM60N.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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