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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTI18N65M2
STI18N65M2 Image
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STI18N65M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STI18N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STI18N65M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
ST(I,P)18N65M2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40875

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Spezifikation

STI18N65M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STI18N65M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STI18N65M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK  
Serie MDmesh™ M2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STI18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STI18N65M2.

Produkteigenschaften STI18N65M2 STI14NM65N STI150N10F7 STI175N4F6AG
Artikelnummer STI18N65M2 STI14NM65N STI150N10F7 STI175N4F6AG
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie MDmesh™ M2 MDmesh™ II STripFET™ STripFET™ F6
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 110A (Tc) 120A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse I2PAK I2PAK I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 125W (Tc) 250W (Tc) 190W (Tc)
Grundproduktnummer STI18 STI14N STI150 STI175N
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 100 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 4.2mOhm @ 55A, 10V 2.7mOhm @ 60A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 100 V 1300 pF @ 50 V 8115 pF @ 50 V 7735 pF @ 20 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -

STI18N65M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STI18N65M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STI18N65M2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Site Add 3/Aug/2018.pdf
Datenblätter
ST(I,P)18N65M2.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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