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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTI55NF03L
STI55NF03L Image
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STI55NF03L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STI55NF03L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STI55NF03L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
STI55NF03L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 44330

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Anzahl

Spezifikation

STI55NF03L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STI55NF03L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STI55NF03L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 80W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -60°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1265 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  
Grundproduktnummer STI55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STI55NF03L.

Produkteigenschaften STI55NF03L STI5N52U STI57N65M5 STI7020AWBL
Artikelnummer STI55NF03L STI5N52U STI57N65M5 STI7020AWBL
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 525 V 650 V -
Paket Tube Tube Tube -
Grundproduktnummer STI55 STI5N STI57N -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1265 pF @ 25 V 529 pF @ 25 V 4200 pF @ 100 V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 5V @ 250µA -
Betriebstemperatur -60°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 27.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 63mOhm @ 21A, 10V -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA -
Vgs (Max) ±16V ±30V ±25V -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 4.4A (Tc) 42A (Tc) -
Verlustleistung (max) 80W (Tc) 70W (Tc) 250W (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse I2PAK I2PAK I2PAK (TO-262) -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V 16.9 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie STripFET™ II UltraFASTmesh™ MDmesh™ V -

STI55NF03L Datenblatt PDF

Laden Sie STI55NF03L PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STI55NF03L - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Assembly Chg 18/Oct/2019.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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