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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTI57N65M5
STI57N65M5 Image
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STI57N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STI57N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STI57N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
STx57N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4240

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Anzahl

Spezifikation

STI57N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STI57N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STI57N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  
Grundproduktnummer STI57N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STI57N65M5.

Produkteigenschaften STI57N65M5 STI55NF03L STI5N52U STi5528GWC
Artikelnummer STI57N65M5 STI55NF03L STI5N52U STi5528GWC
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 55A (Tc) 4.4A (Tc) -
Vgs (Max) ±25V ±16V ±30V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V 16.9 nC @ 10 V -
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK I2PAK -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -60°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie MDmesh™ V STripFET™ II UltraFASTmesh™ -
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 80W (Tc) 70W (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 100 V 1265 pF @ 25 V 529 pF @ 25 V -
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 30 V 525 V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 63mOhm @ 21A, 10V 13mOhm @ 27.5A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V -
Paket Tube Tube Tube -
Grundproduktnummer STI57N STI55 STI5N -

STI57N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STI57N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STI57N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Datenblätter
STx57N65M5.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STI57N65M5

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