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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL110NS3LLH7
STMicroelectronics
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STL110NS3LLH7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL110NS3LLH7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL110NS3LLH7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL110NS3LLH7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 38393

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Anzahl

Spezifikation

STL110NS3LLH7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL110NS3LLH7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL110NS3LLH7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie STripFET™ H7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 14A, 10V  
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer STL110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL110NS3LLH7.

Produkteigenschaften STL110NS3LLH7 STL120N4F6AG STL10N60M2 STL110N10F7
Artikelnummer STL110NS3LLH7 STL120N4F6AG STL10N60M2 STL110N10F7
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 40 V 600 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2110 pF @ 25 V 3700 pF @ 25 V 400 pF @ 100 V 5117 pF @ 50 V
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie STripFET™ H7 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 MDmesh™ II Plus DeepGATE™, STripFET™ VII
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V 63 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 4W (Ta), 75W (Tc) 96W (Tc) 48W (Tc) 136W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 55A (Tc) 5.5A (Tc) 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 14A, 10V 3.6mOhm @ 13A, 10V 660mOhm @ 2.5A, 10V 6mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV PowerFlat™ (5x6)
Grundproduktnummer STL110 STL120 STL10 STL110

STL110NS3LLH7 Datenblatt PDF

Laden Sie STL110NS3LLH7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL110NS3LLH7 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
STL1 30/Jun/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
STLYYY 07/Feb/2018.pdf
Datenblätter
STL110NS3LLH7.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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