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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL11N3LLH6
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL11N3LLH6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL11N3LLH6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL11N3LLH6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL11N3LLH6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 55930

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Spezifikation

STL11N3LLH6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL11N3LLH6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL11N3LLH6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (3.3x3.3)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 24 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer STL11  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL11N3LLH6.

Produkteigenschaften STL11N3LLH6 STL105NS3LLH7 STL11N65M5 STL110NS3LLH7
Artikelnummer STL11N3LLH6 STL105NS3LLH7 STL11N65M5 STL110NS3LLH7
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 2W (Ta), 50W (Tc) 62.5W (Tc) 70W (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 650 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STL11 STL105 STL11 STL110
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 24 V 2110 pF @ 25 V 644 pF @ 100 V 2110 pF @ 25 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ STripFET™ H7
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V 13.7 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V 13.7 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFLAT™ (5x5) PowerFlat™ (5x6)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 5.5A, 10V 3.9mOhm @ 13.5A, 10V 530mOhm @ 4.25A, 10V 3.4mOhm @ 14A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 105A (Tc) 8.5A (Tc) 120A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1.2V @ 1mA (Min) 5V @ 250µA 2.3V @ 1mA

STL11N3LLH6 Datenblatt PDF

Laden Sie STL11N3LLH6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL11N3LLH6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Carrier/Cover Tape Supplier 23/Sep/2021.pdf
PCN -Verpackung
IPD/15/9333 21/Jul/2015.pdf
Datenblätter
STL11N3LLH6.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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