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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL15N65M5
STL15N65M5 Image
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STL15N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL15N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL15N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL15N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25872

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Spezifikation

STL15N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL15N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL15N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 5A, 10V  
Verlustleistung (max) 52W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 816 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer STL15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL15N65M5.

Produkteigenschaften STL15N65M5 STL150N3LLH6 STL160NS3LLH7 STL16N65M2
Artikelnummer STL15N65M5 STL150N3LLH6 STL160NS3LLH7 STL16N65M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 150A (Tc) 160A (Tc) 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 5A, 10V 2.4mOhm @ 16.5A, 10V 2.1mOhm @ 18A, 10V 395mOhm @ 3.5A, 10V
Serie MDmesh™ V DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ M2
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 52W (Tc) 80W (Tc) 84W (Tc) 56W (Tc)
Grundproduktnummer STL15 STL150 STL160 STL16
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 30 V 30 V 650 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 1V @ 250µA 2.3V @ 1mA 4V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) HV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 40 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V 19.5 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 816 pF @ 100 V 4040 pF @ 25 V 3245 pF @ 25 V 718 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±25V

STL15N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STL15N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL15N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Datasheet Rev 09/Feb/2022.pdf
Datenblätter
STL15N65M5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STL15N65M5

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32D-STL15N65M5

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