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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL160NS3LLH7
STL160NS3LLH7 Image
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STL160NS3LLH7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL160NS3LLH7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL160NS3LLH7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL160NS3LLH7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4180

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Spezifikation

STL160NS3LLH7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL160NS3LLH7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL160NS3LLH7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6)  
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 84W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3245 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer STL160  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL160NS3LLH7.

Produkteigenschaften STL160NS3LLH7 STL18N55M5 STL16N1VH5 STL17N3LLH6
Artikelnummer STL160NS3LLH7 STL18N55M5 STL16N1VH5 STL17N3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 550 V 12 V 30 V
Verlustleistung (max) 84W (Tc) 3W (Ta), 90W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1mOhm @ 18A, 10V 270mOhm @ 6A, 10V 3mOhm @ 8A, 4.5V 4.5mOhm @ 8.5A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 2.4A (Ta), 13A (Tc) 16A (Tc) 17A (Tc)
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ V STripFET™ V DeepGATE™, STripFET™ VI
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (3.3x3.3)
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA 5V @ 250µA 500mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±25V ±8V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STL160 STL18 STL16 STL17
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3245 pF @ 25 V 1352 pF @ 100 V 2085 pF @ 12 V 1690 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 26.5 nC @ 4.5 V 17 nC @ 4.5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STL160NS3LLH7 Datenblatt PDF

Laden Sie STL160NS3LLH7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL160NS3LLH7 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STL160NS3LLH7.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
STL160NS3LLH7 29/Nov/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
STL1 30/Jun/2017.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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