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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL23NS3LLH7
STL23NS3LLH7 Image
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STL23NS3LLH7 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL23NS3LLH7
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL23NS3LLH7
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL23NS3LLH7.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4870

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Spezifikation

STL23NS3LLH7 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL23NS3LLH7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL23NS3LLH7

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (3.3x3.3)  
Serie STripFET™ H7  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 11.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.9W (Ta), 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 92A (Tc)  
Grundproduktnummer STL23  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL23NS3LLH7.

Produkteigenschaften STL23NS3LLH7 STL24N65M2 STL22N65M5 STL23NM60ND
Artikelnummer STL23NS3LLH7 STL24N65M2 STL22N65M5 STL23NM60ND
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 15 V 1060 pF @ 100 V 1345 pF @ 100 V 2050 pF @ 50 V
Verlustleistung (max) 2.9W (Ta), 50W (Tc) 125W (Tc) 2.8W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc)
Grundproduktnummer STL23 STL24 STL22 STL23
Serie STripFET™ H7 MDmesh™ M2 MDmesh™ V FDmesh™ II
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 4.5 V 29 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 92A (Tc) 14A (Tc) 15A (Tc) 19.5A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 11.5A, 10V 250mOhm @ 7A, 10V 210mOhm @ 8.5A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 650 V 650 V 600 V
Vgs (Max) ±20V ±25V ±25V ±25V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

STL23NS3LLH7 Datenblatt PDF

Laden Sie STL23NS3LLH7 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL23NS3LLH7 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STL23NS3LLH7.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
STLYYY 07/Feb/2018.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STL23NS3LLH7

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