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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL24N65M2
STMicroelectronics
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STL24N65M2 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL24N65M2
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL24N65M2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 14A PWRFLAT HV
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL24N65M2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22200

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Anzahl

Spezifikation

STL24N65M2 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL24N65M2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL24N65M2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV  
Serie MDmesh™ M2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc)  
Grundproduktnummer STL24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL24N65M2.

Produkteigenschaften STL24N65M2 STL24NM60N STL23NS3LLH7 STL22N65M5
Artikelnummer STL24N65M2 STL24NM60N STL23NS3LLH7 STL22N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2.3V @ 1mA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 100 V 1400 pF @ 50 V 2100 pF @ 15 V 1345 pF @ 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Tc) 3.3A (Ta), 16A (Tc) 92A (Tc) 15A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) 2.9W (Ta), 50W (Tc) 2.8W (Ta), 110W (Tc)
Serie MDmesh™ M2 MDmesh™ II STripFET™ H7 MDmesh™ V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 13.7 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STL24 STL24 STL23 STL22
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 30 V 650 V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (8x8) HV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 7A, 10V 215mOhm @ 8A, 10V 3.7mOhm @ 11.5A, 10V 210mOhm @ 8.5A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

STL24N65M2 Datenblatt PDF

Laden Sie STL24N65M2 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL24N65M2 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
STLYYY 22/Dec/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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