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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL26N60DM6
STMicroelectronics
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STL26N60DM6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL26N60DM6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL26N60DM6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL26N60DM6.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14678

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Anzahl

Spezifikation

STL26N60DM6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL26N60DM6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL26N60DM6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV  
Serie MDmesh™ DM6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer STL26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL26N60DM6.

Produkteigenschaften STL26N60DM6 STL26N30M8 STL30P3LLH6 STL260N3LLH6
Artikelnummer STL26N60DM6 STL26N30M8 STL30P3LLH6 STL260N3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 114W (Tc) 75W (Tc) 166W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (5x6)
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±20V
Grundproduktnummer STL26 STL26 STL30 STL260
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 23A (Tc) 30A (Tc) 260A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 300 V 30 V 30 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie MDmesh™ DM6 MDmesh™ M8 DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ H6
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 940 pF @ 100 V 1430 pF @ 100 V 1450 pF @ 25 V 6375 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215mOhm @ 7.5A, 10V 89mOhm @ 11.5A, 10V 30mOhm @ 4.5A, 10V 1.3mOhm @ 22.5A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 30.8 nC @ 10 V 12 nC @ 4.5 V 61.5 nC @ 4.5 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN

STL26N60DM6 Datenblatt PDF

Laden Sie STL26N60DM6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL26N60DM6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
STLYYY 22/Dec/2020.pdf
Datenblätter
STL26N60DM6.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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