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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL38N65M5
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL38N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL38N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL38N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V PWRFLAT HV
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL38N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14095

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Spezifikation

STL38N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL38N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL38N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 12.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta), 22.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STL38  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL38N65M5.

Produkteigenschaften STL38N65M5 STL3NM60N STL40N75LF3 STL3N65M2
Artikelnummer STL38N65M5 STL3NM60N STL40N75LF3 STL3N65M2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
FET-Merkmal - - - -
Serie MDmesh™ V MDmesh™ II STripFET™ III MDmesh™ M2
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 10 V 9.5 nC @ 10 V 12 nC @ 5 V 5 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 600 V 75 V 650 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 100 V 188 pF @ 50 V 1300 pF @ 25 V 155 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±25V ±25V +20V, -16V ±25V
Grundproduktnummer STL38 STL3NM60 STL40 STL3
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA 4V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 12.5A, 10V 1.8Ohm @ 1A, 10V 19mOhm @ 20A, 10V 1.8Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 150W (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) 75W (Tc) 22W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta), 22.5A (Tc) 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 40A (Tc) 2.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V

STL38N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STL38N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL38N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Material Barrier Bag 17/Dec/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
STLYYY 22/Dec/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
PowerFLAT Assem Chg 25/Jul/2018.pdf
Datenblätter
STL38N65M5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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