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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTL42N65M5
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STL42N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STL42N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STL42N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
STL42N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3657

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Spezifikation

STL42N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STL42N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STL42N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 16.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4650 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta), 34A (Tc)  
Grundproduktnummer STL42  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STL42N65M5.

Produkteigenschaften STL42N65M5 STL40N10F7 STL3N65M2 STL4P3LLH6
Artikelnummer STL42N65M5 STL40N10F7 STL3N65M2 STL4P3LLH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V 6 nC @ 4.5 V
Supplier Device-Gehäuse PowerFlat™ (8x8) HV PowerFlat™ (5x6) PowerFlat™ (3.3x3.3) PowerFlat™ (2x2)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta), 34A (Tc) 40A (Tc) 2.3A (Tc) 4A (Ta)
Serie MDmesh™ V DeepGATE™, STripFET™ VII MDmesh™ M2 DeepGATE™, STripFET™ H6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Grundproduktnummer STL42 STL40 STL3 STL4P3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4650 pF @ 100 V 1270 pF @ 50 V 155 pF @ 100 V 639 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79mOhm @ 16.5A, 10V 24mOhm @ 10A, 10V 1.8Ohm @ 1A, 10V 56mOhm @ 2A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±25V ±20V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 6-PowerWDFN
Verlustleistung (max) 3W (Ta), 208W (Tc) 5W (Ta), 70W (Tc) 22W (Tc) 2.4W (Ta)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 100 V 650 V 30 V

STL42N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STL42N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STL42N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPD/15/9187 17/Apr/2015.pdf
Datenblätter
STL42N65M5.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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