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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP9NK90Z
STP9NK90Z Image
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STP9NK90Z - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP9NK90Z
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP9NK90Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STx9NK90Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18114

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Anzahl

Spezifikation

STP9NK90Z Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP9NK90Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP9NK90Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2115 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer STP9NK90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP9NK90Z.

Produkteigenschaften STP9NK90Z STP9NK70ZFP STP9NK70Z STP9NK65ZFP
Artikelnummer STP9NK90Z STP9NK70ZFP STP9NK70Z STP9NK65ZFP
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 700 V 700 V 650 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STP9NK90 STP9NK70 STP9N STP9NK65
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2115 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V 1145 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 35W (Tc) 115W (Tc) 30W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220FP
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 7.5A (Tc) 7.5A (Tc) 6.4A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3.6A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STP9NK90Z Datenblatt PDF

Laden Sie STP9NK90Z PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP9NK90Z - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
PCN -Verpackung
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Datenblätter
STx9NK90Z.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STP9NK90Z

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