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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTP9NM60N
STP9NM60N Image
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STP9NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STP9NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STP9NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
STx9NM60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 31987

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Anzahl

Spezifikation

STP9NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STP9NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STP9NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 452 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STP9NM60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STP9NM60N.

Produkteigenschaften STP9NM60N STP9NK70ZFP STP9NK80Z STP9NM50N
Artikelnummer STP9NM60N STP9NK70ZFP STP9NK80Z STP9NM50N
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 700 V 800 V 500 V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.4 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STP9NM60 STP9NK70 STP9N STP9N
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 560mOhm @ 3.7A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 452 pF @ 50 V 1370 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 570 pF @ 50 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Serie MDmesh™ II SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 35W (Tc) 150W (Tc) 70W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Tc) 7.5A (Tc) 7.5A (Tc) 5A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -

STP9NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STP9NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STP9NM60N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Datenblätter
STx9NM60N.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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