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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSTS2DPF80
STS2DPF80 Image
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STS2DPF80 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS2DPF80
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS2DPF80
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS2DPF80.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4010

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Anzahl

Spezifikation

STS2DPF80 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS2DPF80 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS2DPF80

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Leistung - max 2.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 739pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer STS2D  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS2DPF80.

Produkteigenschaften STS2DPF80 STS2DNF30L STS2DNF30L MOS STS2DPFS20V
Artikelnummer STS2DPF80 STS2DNF30L STS2DNF30L MOS STS2DPFS20V
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V 30V - 20 V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC - 8-SOIC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 739pF @ 25V 121pF @ 25V - 315 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 4.5nC @ 10V - 4.7 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Serie STripFET™ STripFET™ - STripFET™ II
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Schottky Diode (Isolated)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2A 3A - 2.5A (Tc)
Leistung - max 2.5W 2W - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer STS2D STS2DNF30 - STS2D
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA - 600mV @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 110mOhm @ 1A, 10V - 200mOhm @ 1A, 4.5V
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -

STS2DPF80 Datenblatt PDF

Laden Sie STS2DPF80 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STS2DPF80 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STS2DPF80.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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STS2DPF80

STMicroelectronics
32D-STS2DPF80

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