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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTS2DPFS20V
STS2DPFS20V Image
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STS2DPFS20V - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS2DPFS20V
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS2DPFS20V
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.5A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS2DPFS20V.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4950

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Anzahl

Spezifikation

STS2DPFS20V Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS2DPFS20V Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS2DPFS20V

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated)  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STS2D  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS2DPFS20V.

Produkteigenschaften STS2DPFS20V STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DNF30L MOS
Artikelnummer STS2DPFS20V STS26N3LLH6 STS2DNF30L STS2DNF30L MOS
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±12V ±20V - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Verlustleistung (max) 2W (Tc) 2.7W (Ta) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Typ FET P-Channel N-Channel - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Serie STripFET™ II DeepGATE™, STripFET™ VI STripFET™ -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 15 V 4040 pF @ 25 V 121pF @ 25V -
VGS (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V 4.5V, 10V - -
Grundproduktnummer STS2D STS26 STS2DNF30 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 30 V 30V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7 nC @ 4.5 V 40 nC @ 4.5 V 4.5nC @ 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1A, 4.5V 4.4mOhm @ 13A, 10V 110mOhm @ 1A, 10V -
FET-Merkmal Schottky Diode (Isolated) - Logic Level Gate -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc) 26A (Tc) 3A -

STS2DPFS20V Datenblatt PDF

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Datenblätter
STS2DPFS20V.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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