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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSTS4C3F60L
STS4C3F60L Image
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STS4C3F60L - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STS4C3F60L
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STS4C3F60L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
STS4C3F60L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5050

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Spezifikation

STS4C3F60L Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STS4C3F60L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STS4C3F60L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A, 3A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer STS4C  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STS4C3F60L.

Produkteigenschaften STS4C3F60L STS4DNF60L STS4DNF30L STS4DPF20L
Artikelnummer STS4C3F60L STS4DNF60L STS4DNF30L STS4DPF20L
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie STripFET™ STripFET™ STripFET™ STripFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1030pF @ 25V 1030pF @ 25V 330pF @ 25V 1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 4.5V 15nC @ 4.5V 9nC @ 10V 16nC @ 5V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Leistung - max 2W 2W 2W 1.6W
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A, 3A 4A 4A 4A
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 30V 20V
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V 55mOhm @ 2A, 10V 50mOhm @ 2A, 10V 80mOhm @ 2A, 10V
Grundproduktnummer STS4C STS4DNF60 STS4D STS4D
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STS4C3F60L Datenblatt PDF

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Datenblätter
STS4C3F60L.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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